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通過插入界面原子單層改進與IV族半導體的金屬接觸

808 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:20:16

本公開案提供通過在金屬與半導體之間的界面插入V族或III族原子單層，或插入各自由單層形成的雙層，或插入多個所述雙層，減少金屬-半導體(IV族)結的比接觸電阻的技術。所得的低比電阻金屬-IV族半導體結應用為半導體設備中的低電阻電極，所述半導體設備包括電子設備(例如晶體管、二極管等)和光電設備(例如激光器、太陽能電池、光電探測器等)，及/或應用為場效應晶體管(field?effect?transistor；FET)中的金屬源區(qū)及/或金屬漏區(qū)(或者所述金屬源區(qū)及/或金屬漏區(qū)的一部分)。III族原子單層和V族原子單層主要為有序的原子層，所述原子層形成于IV族半導體的表面并與IV族半導體的表面原子化學結合。

聲明：

“通過插入界面原子單層改進與IV族半導體的金屬接觸” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)