本發(fā)明公開(kāi)一種差分結(jié)構(gòu)生化傳感器芯片,第一延長(zhǎng)柵和第二延長(zhǎng)柵具有兩種敏感性質(zhì)的聚吡咯層,第一延長(zhǎng)柵、準(zhǔn)參比電極及第二延長(zhǎng)柵分別與各壓焊塊相連。本發(fā)明公開(kāi)的方法用電化學(xué)法聚合得到第一延長(zhǎng)柵上生長(zhǎng)PH敏感的第一聚吡咯層、第二延長(zhǎng)柵上生長(zhǎng)PH鈍化的第二聚吡咯層;準(zhǔn)參比電極的第三鋁層由標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在加工芯片時(shí)沉積,第三鉑層采用磁控濺射法沉積生長(zhǎng)在第三鋁層上。采用多晶硅柵標(biāo)準(zhǔn)工藝流片實(shí)現(xiàn)差分結(jié)構(gòu)離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片。在后續(xù)工藝中制備PH敏感層與PH鈍化層的方法,解決目前因采用不同材料作為PH敏感層與PH鈍化層而引起差分測(cè)量誤差的問(wèn)題,獲得較好的差分效果和良好的穩(wěn)定性,并能適應(yīng)較寬的環(huán)境變量范圍。