本發(fā)明公開了一種高質(zhì)量晶圓級硒氧化鉍半導(dǎo)體單晶薄膜的批量化制備方法。該方法包括:以含有Bi元素和Se元素的化合物為原料,以單晶晶圓為生長基底,進行化學氣相沉積,得到所述Bi
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2Se薄膜。本發(fā)明利用外延面對稱性一致的共格外延方式生長取向一致的單晶Bi
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2Se,通過延長生長時間,制備得到了由取向一致的單晶Bi
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2Se晶粒拼接而成的連續(xù)單晶薄膜。該方法工藝流程簡單,操作容易,成本低,薄膜尺寸大,并可有望應(yīng)用于晶圓級Bi
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2Se單晶薄膜的批量化生產(chǎn);為Bi
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2Se半導(dǎo)體薄膜在光電探測器或場效應(yīng)晶體管等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
聲明:
“高質(zhì)量晶圓級硒氧化鉍半導(dǎo)體單晶薄膜的批量化制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)