本發(fā)明專利公開了具有室溫線性磁阻效應(yīng)的層狀單晶材料、制備方法及應(yīng)用,具體涉及單晶材料的技術(shù)領(lǐng)域。采用化學(xué)氣相輸運(yùn)法生長Fe5GeTe2單晶。制備方法包括如下步驟:S1、按照摩爾質(zhì)量比5:1:2配制Fe、Ge、Te原料;S2、按照5mg/cm–2配制I2;S3、將步驟S1和S2中配制好的原料進(jìn)行充分研磨,然后將研磨后的原料置于石英管內(nèi),并將石英管抽為真空狀態(tài);S4、石英管密封后放置于兩溫區(qū)管式爐中,生長端700℃,原料端750℃,經(jīng)過7天的生長周期,自然降溫即可獲得毫米級(jí)的具有高質(zhì)量的Fe5GeTe2單晶體。采用本發(fā)明技術(shù)方案解決了現(xiàn)有磁傳感器的磁滯現(xiàn)象對測量精度影響較大的問題,可用于制備溫度范圍適用更廣的單晶材料。
聲明:
“具有室溫線性磁阻效應(yīng)的層狀單晶材料、制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)