本發(fā)明公開了一種非接觸無損傷的測量外延SOI外延層電阻率的方法,該方法針對外延SOI外延層進行電阻率的測量,為了達到測量精準的效果,首先對外延SOI表面進行特定的預處理,使表面的缺陷及電學參數達到所需要求。再施加特定電壓,根據C-V曲線算出電阻率。最終結果誤差小于0.1%。本發(fā)明為非接觸式測量,具有非破壞性、無損傷性、可重復利用等優(yōu)點。在實際生產中,被測外延SOI仍然可以使用。大大的提高了產品良率,節(jié)約了成本。
聲明:
“非接觸無損傷的測量外延SOI外延層電阻率的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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