一種MOS電容失效點(diǎn)定位方法,包括:形成測(cè)試MOS電容;在測(cè)試MOS電容上方沉積介質(zhì)層及金屬層,獲得MOS電容測(cè)試結(jié)構(gòu);對(duì)所述MOS電容測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試,獲得失效點(diǎn)位置信息。所述在測(cè)試MOS電容上方沉積金屬層的方法包括在測(cè)試MOS電容上方沉積第一輔助金屬層及第二輔助金屬層或在測(cè)試MOS電容上方沉積具有規(guī)則圖形的金屬層。利用雙層金屬線形成的網(wǎng)格或單層金屬層內(nèi)規(guī)則圖形作為光學(xué)檢測(cè)圖像中的坐標(biāo),可提供準(zhǔn)確的失效點(diǎn)位置信息;且雙層金屬線或單層金屬層內(nèi)規(guī)則圖形的制作工藝簡(jiǎn)單,無(wú)需單獨(dú)增加生產(chǎn)步驟或引入
新材料,既不會(huì)增加生產(chǎn)成本也不會(huì)對(duì)最終獲得的器件的性能產(chǎn)生不良影響。
聲明:
“MOS電容測(cè)試結(jié)構(gòu)及失效點(diǎn)定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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