本發(fā)明公開(kāi)了一種深溝槽產(chǎn)品的深溝槽底端定位的物理分析方法,包括步驟:在定義深溝槽圖形的掩膜板上定義出分析溝槽圖形。同時(shí)刻蝕形成深溝槽和分析溝槽。在分析溝槽中填充介質(zhì)層。在深溝槽填充滿硅外延層,并形成深溝槽產(chǎn)品。制備分析樣品;對(duì)分析樣品進(jìn)行研磨并找到深溝槽的底部,研磨過(guò)程中利用分析溝槽中填充的介質(zhì)層能夠和硅直接視覺(jué)區(qū)別的特性來(lái)對(duì)深溝槽的深度進(jìn)行定位。對(duì)定位好的深溝槽的底部進(jìn)行物理分析。本發(fā)明能夠在分析樣品制備過(guò)程中實(shí)現(xiàn)對(duì)深溝槽低端的準(zhǔn)確定位,從而能解決深溝槽產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)分析、失效分析是的樣品制備的難題,并能帶來(lái)產(chǎn)品的質(zhì)量提升和工藝改善。
聲明:
“深溝槽產(chǎn)品的深溝槽底端定位的物理分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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