本發(fā)明提供一種測試結構及其形成方法、測試方法,所述測試結構包括第一測試鍵和第二測試鍵。第一測試鍵包括:多個第一隔離結構;由多個第一隔離結構在基底中圍出的多個矩形測試有源區(qū),沿矩形對角線方向排布的測試有源區(qū)的頂點重合,形成交界點;位于基底表面上的多條第一測試柵。第二測試鍵包括第二隔離結構和第二隔離結構表面上的多條第二測試柵。在第一測試鍵包含了多個交界點,交界點更容易暴露淺溝槽工藝的問題;第二測試鍵中不會發(fā)生淺溝槽隔離缺角缺陷;通過第一測試柵和第二測試柵的橋接狀況的檢測與對比,模擬晶圓內(nèi)部淺溝槽缺角缺陷的發(fā)生情況,進而對淺溝槽缺角缺陷造成的柵極橋接進行準確的失效分析。
聲明:
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