本發(fā)明公開了一種對RRAM存儲(chǔ)器耐久性參數(shù)進(jìn)行測試的方法,該方法包括:判斷RRAM存儲(chǔ)器當(dāng)前所處的狀態(tài),以確定起始向RRAM存儲(chǔ)器加載的脈沖是編程脈沖還是擦除脈沖;連續(xù)交替的向RRAM存儲(chǔ)器加載編程脈沖和擦除脈沖,并在向RRAM存儲(chǔ)器加載了10^Ln次編程脈沖和擦除脈沖后測試RRAM存儲(chǔ)器的狀態(tài)是否失效,在RRAM存儲(chǔ)器失效時(shí)記錄最后使RRAM器件失效的加載編程脈沖和擦除脈沖次數(shù)10^Ln,即得到耐久性參數(shù)為10^Ln-1次,其中Ln=n-1,n為自然數(shù)。利用本發(fā)明,極大加快了待測器件耐久性參數(shù)的獲取。
聲明:
“對RRAM存儲(chǔ)器耐久性參數(shù)進(jìn)行測試的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)