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磁鐵組態(tài)系統(tǒng)與在磁阻式隨機存取記憶體晶片中偵測磁穿隧接面矯頑磁力弱位元的方法

837 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 09:00:21

一種磁鐵組態(tài)系統(tǒng)與在磁阻式隨機存取記憶體晶片中偵測磁穿隧接面矯頑磁力弱位元的方法，揭露的方法包括將含有磁阻式隨機存取記憶體(magnetoresistive random?access memory；MRAM)元件的半導體晶圓放置在第一磁場中，此第一磁場具有足以磁極化MRAM位元的強度且在晶圓的整個區(qū)域上具有實質均勻的場強度與方向。此方法還包括將晶圓放置在第二磁場中，此第二磁場有相反的場方向、在晶圓的整體區(qū)域上有實質均勻的場強度與方向與小于磁性反轉MRAM位元的設計門檻。此方法還包括通過找出因暴露于第二磁場而被磁極反轉的失效MRAM位元，判定失效MRAM位元存在。通過電性讀取數據位元，或者由晶片探針讀取MRAM元件的電壓、電流、電阻等的一或多者還可以區(qū)分失效的MRAM位元。

聲明：

“磁鐵組態(tài)系統(tǒng)與在磁阻式隨機存取記憶體晶片中偵測磁穿隧接面矯頑磁力弱位元的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)