本發(fā)明屬于測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種大尺寸
芯片翹曲度測(cè)量方法。具體通過(guò)伽馬射線輻射大尺寸芯片,由閃爍探測(cè)器接收經(jīng)芯片反射的光子并倍增后通過(guò)計(jì)數(shù)裝置得出光子數(shù),然后轉(zhuǎn)換成電壓V。然后以一定速度v水平移動(dòng)芯片,通過(guò)光子數(shù)轉(zhuǎn)換得到V(t),由相關(guān)參數(shù)及模型相互結(jié)構(gòu)關(guān)系換算出芯片平面翹曲信息,得到芯片翹曲度。本發(fā)明具備如下有益效果:(1)伽馬光子動(dòng)態(tài)測(cè)量精度高,得到的結(jié)果更為精確可靠;(2)測(cè)量過(guò)程中不會(huì)觸碰芯片,因此不會(huì)由于測(cè)量造成芯片的失效損失;(3)利用伽馬光子技術(shù)的測(cè)量快速有效;(4)排除人為測(cè)量誤差因素。
聲明:
“大尺寸芯片翹曲度測(cè)量方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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