本發(fā)明提供一種鋁通孔
芯片的去層方法,該鋁通孔芯片的去層方法包括如下步驟:S1:將芯片進行干法刻蝕,露出鋁金屬;S2:通過濕法刻蝕將鋁金屬反應(yīng)掉,使和鋁金屬緊貼的阻擋層露出;S3:鋁金屬反應(yīng)掉后,鋁孔也會被反應(yīng),因此會在阻擋層上留下與下層金屬連接的孔洞,該孔洞就是通孔的位置;S4:采集該層次的圖像將金屬線的信息和下層孔的信息全部進行采集。該鋁通孔芯片的去層方法具有的優(yōu)點如下:該方法可以很好地解決同層金屬線不在同一水平面上,不同位置的金屬線有一個高度的落差,且現(xiàn)有的加工方法會導(dǎo)致做失效分析或電路分析時,電路信息丟失的問題。
聲明:
“鋁通孔芯片的去層方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)