該晶體生長系統(tǒng)作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分具有以下特點(diǎn)：

精確性：通過精密儀器制造的驅(qū)動單元夠?qū)崿F(xiàn)可重復(fù)的工藝控制并生產(chǎn)出最佳品質(zhì)的晶體。

堅(jiān)固性：爐體部件由高質(zhì)量的不銹鋼制成，其內(nèi)表面經(jīng)過高精度拋光，以便達(dá)到耐用性和潔凈等級方面的最高要求。

安全性：高度的自動化和額為增設(shè)的安全系統(tǒng)可以確保在最先進(jìn)的生產(chǎn)環(huán)境中使用。

定制化：憑借多年的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)、專業(yè)知識以及提供多種部件更換和組合方式，PVA晶體生長系統(tǒng)根據(jù)不同客戶的特定需求提供最佳解決方案。

支持與服務(wù)：您可以通過直接聯(lián)系PVA晶體生長系統(tǒng)專家進(jìn)行“點(diǎn)對點(diǎn)”的溝通，獲得系統(tǒng)的備件服務(wù)以及系統(tǒng)的調(diào)整和優(yōu)化服務(wù)。

偶然將籽晶意外浸入熔融錫中，無意間發(fā)現(xiàn)了目前微電子領(lǐng)域中最重要的晶體生長工藝，該工藝是實(shí)現(xiàn)工業(yè)、科學(xué)和社會的快速數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基礎(chǔ)。柴可拉斯基法(直拉法)以揚(yáng)·柴可拉斯基的名字來命名，該技術(shù)完全為工業(yè)化生產(chǎn)而開發(fā)，目前用于生產(chǎn)直徑達(dá)300毫米、重量為500公斤的硅晶體。為此，當(dāng)溫度達(dá)到大約1410℃時(shí)，高純硅作為半導(dǎo)體材料會在石英坩堝中熔化，并通過控制程序，按照工藝要求將單晶硅錠從熔體中拉出。

現(xiàn)代微電子行業(yè)發(fā)展迅速，在成本保持不變的前提下，實(shí)現(xiàn)更高的集成密度和小到極致的結(jié)構(gòu)體積，這是我們一直以來追求的行業(yè)目標(biāo)。由此產(chǎn)生對生產(chǎn)效率和材料質(zhì)量方面的更高要求，二者數(shù)據(jù)的同時(shí)提高，必須通過專門調(diào)整晶體缺陷的類型和分布來實(shí)現(xiàn)。通過對拉晶工藝的精確調(diào)整和控制，可以調(diào)整缺陷分布，這在單晶爐、控制和反饋控制系統(tǒng)和熔液中的氣體對流、爐室中的氣流狀態(tài)以及在后結(jié)晶狀態(tài)的固液界面的溫度梯度等方面，對系統(tǒng)制造商提出了突破技術(shù)極限的挑戰(zhàn)。

PVA TePla擁有獨(dú)立自主的技術(shù)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，通過與研究機(jī)構(gòu)的密切合作，對系統(tǒng)和工藝研發(fā)的最新課題進(jìn)行研究、應(yīng)用和測試。我們的技術(shù)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室確保每一種新型設(shè)備順利通過嚴(yán)密的高頻次測試，并制定相關(guān)附屬設(shè)備高質(zhì)量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。無論是直拉法工藝開發(fā)，還是 PVA TePla的其他產(chǎn)品線，始終沿用此研發(fā)模式。

直拉法晶體生長系統(tǒng)CGS1218單晶爐

專為符合半導(dǎo)體行業(yè)的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，且可以配置鋼絲軟軸或硬軸。配合獨(dú)特的晶體軸配置能夠達(dá)到最高的精度，因此確保了提拉速度的線性可調(diào)和可重復(fù)性。

CGS1218單晶爐的特點(diǎn)是其擁有一個(gè)組合式爐室，并允許在同樣的熱工條件下改變加料量。該系統(tǒng)可裝載 32 – 36英寸熱場，并配有交互式軟件系統(tǒng)控制的單個(gè)或雙攝像頭。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:

最大晶棒直徑： 12- 18英寸

晶棒長度： 最大2,100 毫米

裝料容量 300公斤-450公斤

熱場 32 – 36英寸