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本發(fā)明屬于高溫合金材料加工技術領域，具體公開了一種GH3625高溫合金管材及其生產工藝，該工藝包括：鑄錠冶煉、鑄錠鍛造、棒料固溶處理、首次坯料加工、坯料無損探傷、一次擴孔、再次坯料加工、二次擴孔、荒管擠壓、荒管固溶處理、冷軋、成品管固溶處理等，使用該生產工藝制得GH3625高溫合金管材。二次擴孔工藝解決了一次大的擴孔比導致擴裂的問題，在荒管擠壓中采用雙錐模、碳鋼尾墊等工藝，有利于金屬的平穩(wěn)流動，降低擠壓力，減少擠壓缺陷，提高成材率。本發(fā)明生產的GH3625高溫合金管材表面質量好

隨著5G智能電子設備的迅猛發(fā)展，對更高安全性、智能化、輕量化設計以及更長續(xù)航時間的需求日益迫切。而現有的商用LiCoO2正極材料已難以滿足高能量密度鋰離子電池的要求。盡管將上限截止電壓提升至4.5 V以上可以實現更高的容量，但隨之而來的機械穩(wěn)定性問題愈發(fā)顯著，導致循環(huán)性能進一步下降。這一現象主要源于鋰離子嵌入/脫嵌過程中晶格各向異性的膨脹與收縮，進而引發(fā)不可逆相變，特別是有害的O1相形成，造成嚴重的體積變化和顆粒內部應力累積。

硅光子學是一項迅速發(fā)展的技術，有望徹底改變我們通信、計算和感知世界的方式。然而，缺乏高度可擴展的、原生互補金屬氧化物半導體(CMOS)集成光源是阻礙其廣泛應用的主要障礙之一。盡管在硅上集成 III-V 族光源方面取得了顯著進展，但通過直接外延 III-V 材料實現單片集成仍是成本效益較高的片上光源的頂峰。