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本發(fā)明為了解決傳統(tǒng)CVD生長技術(shù)晶界分布和形貌不可控的問題,提供了一種可控生長六角星形單層MoS 2的方法,利用納米粒徑的MoO 3作為前驅(qū)體,配合碳布,從而可控地生長大面積均勻分布的六角星形單層MoS 2,所述六角星形單層MoS 2具有確定位置的晶界,有望為大規(guī)模制作基于過渡金屬硫族化合物的憶阻器領(lǐng)域提供新思路。
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