本發(fā)明公開(kāi)了一種高純大尺寸氧化鎂單晶的制備方法,屬于晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先將
菱鎂礦石提純化處理,得到高純的重?zé)趸V;重?zé)趸V經(jīng)破碎、磁選、分篩后得到分級(jí)氧化鎂粉體;按照最大密度的堆積原則,將分級(jí)氧化鎂粉體級(jí)配混合,然后將10~50噸混合料一次性裝入單晶生長(zhǎng)爐體中;在溫度2800~3500℃、電流2萬(wàn)安培條件下冶煉20~50小時(shí);自然冷卻后剝離外層的多晶氧化鎂層,得到氧化鎂單晶塊,再通過(guò)分選,即可得到高純大尺寸氧化鎂單晶。本發(fā)明方法可以生產(chǎn)高純度(≥99.99%)、大尺寸(≥2英寸)氧化鎂單晶,且該方法制備工藝簡(jiǎn)單,對(duì)原料來(lái)源和設(shè)備及工藝條件的要求低,有利于推廣應(yīng)用。
聲明:
“高純大尺寸氧化鎂單晶的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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