本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法,第一步備料及預(yù)處理;第二步形成高純硅襯底:然后開啟電子束束流為200-500mA完全熔化高純硅料,緩慢降低束流為零,即在水冷坩堝中形成高純多晶硅錠,調(diào)節(jié)電子束束流為150-300mA熔化高純多晶硅錠,2-5min后形成一層高純硅襯底;第三步熔煉提純:高磷硅料連續(xù)緩慢落入熔池中,加大束流至300-700mA,高磷硅料熔化后形成高磷硅液,雜質(zhì)磷得到去除后從導(dǎo)流口流入坩堝之中,得到低磷硅液,凝固后得到低磷的多晶硅錠。本發(fā)明方法提純效果好,工藝簡單,節(jié)約能源,降低污染,適合批量生產(chǎn),設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單,構(gòu)思獨(dú)特,操作簡單,成本低,可實(shí)現(xiàn)連續(xù)熔煉。
聲明:
“高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)