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淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設(shè)備

728   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:32:44
本實(shí)用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設(shè)備,設(shè)備由爐蓋及真空爐壁構(gòu)成真空設(shè)備,真空設(shè)備的內(nèi)腔即為真空室,真空室底部安裝有拉錠機(jī)構(gòu),拉錠機(jī)構(gòu)上安裝熔煉坩堝,熔煉坩堝外安裝有加熱裝置,真空室頂部外壁上安裝有升降電動(dòng)裝置,升降電動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)連接升降拉桿上端,升降拉桿下端穿過真空爐壁連接到真空室內(nèi)的懸掛夾緊裝置之上,懸掛夾緊裝置位于熔煉坩堝上方。本實(shí)用新型設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,構(gòu)思獨(dú)特,綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術(shù)去除多晶硅中的雜質(zhì)磷和金屬。提高了生產(chǎn)效率,去除效果良好,集成了除磷和除金屬的雙重效果,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“淺熔池真空熔煉提純多晶硅的設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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