本發(fā)明公開的一種提高冶金硅純度的方法,包括a、對冶金硅進行初步提純,得到純度為4-5N的
多晶硅塊的步驟;b、對4-5N的多晶硅塊進行進一步純化,得到純度為6-7N的太陽能級多晶硅的步驟;其步驟b包括①、冷坩堝制備步驟;②、裝填料步驟;③、除硼步驟;④、除磷步驟;⑤、冷卻步驟;⑥、整理步驟。采用本發(fā)明的方法,能夠得到純度在6N以上,其中硼含量低于0.3ppm,磷含量低于0.1ppm,符合太陽能級多晶硅質量要求的6-7N的太陽能級多晶硅。本發(fā)明還公開了實現(xiàn)該方法的裝置。
聲明:
“提高冶金硅純度的方法及實現(xiàn)該方法的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)