本發(fā)明提供了一種非平衡態(tài)硫族化合物、薄膜及其制備方法,屬于記憶體
芯片材料技術(shù)領(lǐng)域。該非平衡態(tài)硫族化合物的化學(xué)分子式通式為XY4,其中Y元素為元素周期表中高揮發(fā)性的硫族元素。將X元素和Y元素通過真空熔煉和熱壓燒結(jié)而形成非平衡態(tài)化合物。此外,還可以通過等離子濺射將該非平衡態(tài)硫族化合物制作為薄膜,該薄膜可以作為新一代記憶體芯片的開關(guān)元件的
關(guān)鍵材料,具有優(yōu)秀的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。
聲明:
“非平衡態(tài)硫族化合物、薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)