公開(kāi)一種利用含硫?qū)僭氐恼魵庑纬砂雽?dǎo)體前體層的高生產(chǎn)量方法。在一種實(shí)施方案中,所述方法包括形成包含任何形狀的IB族和/或IDA族顆粒的前體材料。該方法可以包括在襯底表面上形成前體材料的前體層。該方法可以進(jìn)一步包括在基本上無(wú)氧的硫?qū)僭貧夥罩屑訜犷w粒前體材料至足以使顆粒反應(yīng)并且從硫?qū)僭鼗镱w粒中釋放硫?qū)僭氐奶幚頊囟?其中該硫?qū)僭爻室后w形式而且充當(dāng)助熔劑以改善元素混合從而形成期望化學(xué)計(jì)量比的IB-IIIA族硫?qū)僭鼗锬?。硫?qū)僭貧夥湛梢蕴峁┐笥诨虻扔谔幚頊囟认虑绑w層中的液體硫?qū)僭氐恼魵鈮旱姆謮骸?
聲明:
“利用硫?qū)僭睾徒饘匍g材料的半導(dǎo)體層高生產(chǎn)量形成” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)