本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法,所述方法包括:提供半導(dǎo)體襯底;在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成阻擋層、低K材料層以及掩膜疊層;圖案化所述阻擋層、低K材料層以及掩膜疊層,以形成溝槽,選用金屬材料填充所述溝槽;去除部分所述金屬材料,形成開(kāi)口;在所述半導(dǎo)體襯底上沉積金屬鋁并進(jìn)行氧化,以在所述開(kāi)口中形成
氧化鋁材料層。本發(fā)明中所述Al2O3通過(guò)“沉積金屬Al-氧化Al”的步驟形成,并經(jīng)過(guò)多次循環(huán)所述步驟得到具有一定厚度的所述Al2O3材料層,所述沉積-熱氧化的方法不含有等離子電荷,從而避免了等離子體損傷效應(yīng)。而且所述Al2O3材料層原位形成于所述金屬銅之上,還可以進(jìn)一步提高該材料層上方的覆蓋層與金屬銅之間粘附性。
聲明:
“半導(dǎo)體器件及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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