本發(fā)明涉及一種氫氧焰等離子體提純冶金級(jí)
多晶硅粉體的方法,該方法包括以下步驟:(1)將冶金級(jí)硅粉進(jìn)行超聲清洗后,室溫下晾干,得到預(yù)處理硅粉;(2)將預(yù)處理硅粉放入氫氧焰等離子體提純裝置內(nèi)的送料槽中;(3)打開所述氫氧焰等離子體提純裝置內(nèi)的氫氧焰產(chǎn)生裝置,預(yù)產(chǎn)生3~5分鐘,以使火焰穩(wěn)定;(4)打開送料槽,通過調(diào)節(jié)氫氧焰等離子體提純裝置內(nèi)的左右控制彈簧的伸長尺寸使斜坡與水平面的夾角為10~40度,此時(shí)硅粉顆粒均勻下落并均勻有序地通過火焰,即得提純后的冶金級(jí)多晶硅粉體;該提純后的冶金級(jí)多晶硅粉體落入玻璃容器,收集即可。本發(fā)明不但便于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的生產(chǎn)應(yīng)用,而且有效降低了能耗及提純成本,同時(shí)也降低了提純的難度。
聲明:
“氫氧焰等離子體提純冶金級(jí)多晶硅粉體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)