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冶金硅直接成長為太陽能薄膜硅的工藝及其專用成長設備

737   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:36:02
一種冶金硅直接成長為太陽能薄膜硅的工藝及其專用成長設備,將準備好的冶金硅材料電離,產(chǎn)生混合粒子產(chǎn)物,將混合粒子產(chǎn)物導入篩選電磁場中,使僅有需要的硅離子通過篩選電磁場進入正確路徑形成高純度硅離子束,并將高純度硅離子束射向被轉(zhuǎn)動的成長基片,在成長基片表面均勻沉積,同時通入必要的摻雜反應氣體并提供合適溫度,即可在成長基片表面獲得成長均勻的N型或P型導電的太陽能薄膜硅。專用成長設備則包括相連接的硅離子發(fā)生裝置、圓弧形的電磁場篩選裝置和薄膜沉積裝置。本發(fā)明無需進行冶金硅的提純和氣化,成本大大降低,能耗少,避免了氣化過程涉及到的氯氣,生產(chǎn)過程環(huán)保,并且設備結(jié)構(gòu)設計合理,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。
聲明:
“冶金硅直接成長為太陽能薄膜硅的工藝及其專用成長設備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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