本發(fā)明提供一種用于確定UMG-Si原料批中的硼和磷濃度的質量控制方法。通過來自于UMG-Si原料批的熔化UMG-Si的定向固化形成硅測試錠。測量所述硅測試錠的自上而下的電阻率。然后,映射所述硅測試錠的電阻率分布。基于所述硅測試錠的所述電阻率分布,計算所述UMG-Si硅原料批的磷和硼濃度。此外,可以在多爐腔晶體生長器中同時生長多個測試錠,其中每個測試錠對應于一個UMG-Si原料批。
聲明:
“升級冶金級硅原料的質量控制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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