公開(kāi)了無(wú)需進(jìn)行冶金級(jí)硅的氣化來(lái)制造
太陽(yáng)能電池的方法。因此,避免了在太陽(yáng)能級(jí)或硅級(jí)硅(silicon?grade?silicon)的制造中涉及的成本和健康以及環(huán)境危害。太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)體包括冶金級(jí)摻雜的硅基板和在該基板上形成的薄膜結(jié)構(gòu),其與該基板形成p-i-n結(jié)。該基板可以是摻雜的p-型,以及薄膜結(jié)構(gòu)可以是在該基板上形成的本征非晶層和在該本征層上形成的n-型非晶層。
聲明:
“低成本的太陽(yáng)能電池及其生產(chǎn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)