本發(fā)明公開了一種用于控制從補(bǔ)償硅原料形成硅錠過程中的電阻率的方法,本方法配制一用于熔融形成硅熔液的提純的冶金補(bǔ)償硅。提純的冶金補(bǔ)償硅原料提供一P型占大多數(shù)的半導(dǎo)體,本方法估算提純的冶金補(bǔ)償硅原料中硼和磷的濃度并加入預(yù)定數(shù)量的鋁或/和鎵;本方法進(jìn)一步將硅原料與預(yù)定數(shù)量的鋁或/和鎵熔化來形成一熔融的硅熔液,進(jìn)行定向凝固;并且,通過加入鋁或/和鎵來維持該硅錠的電阻率在其整個(gè)錠體中具有一致性。在各硅錠中硅原料引起低電阻率的情況下(通常是在0.4Ωcm以下),磷的差額可以隨意加入至鋁或/和鎵中。在低電阻率(通常接近0.2Ωcm或稍低)時(shí),加入磷是必須的。
聲明:
“控制由補(bǔ)償硅原料制成的硅錠中電阻率的方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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