一種利用硅錫合金提純
多晶硅的方法。屬于冶金領域,提供一種利用硅錫合金提純多晶硅的方法。將錫粉與工業(yè)硅混合后裝入
石墨坩堝內,將裝有錫粉與工業(yè)硅的石墨坩堝放入定向凝固爐中,再將其抽真空,將凝固爐內溫度升至1480~1600℃,通入保護氣體并調節(jié)凝固爐壓力,將熔化后的錫粉與工業(yè)硅在1480~1600℃下保溫3~5h,保溫后的合金熔體降溫凝固得硅料;切除所得硅料下部的5%~30%,即得太陽能級多晶硅。將工業(yè)硅料和錫粉按比例混合,并熔化保溫,再以不同冷卻速度進行冷卻,得到合金體與純硅進行分離后,測定其分離比。設備和工藝流程簡單,體積小,操作方便,而且成本較低,具有廣闊的市場前景。
聲明:
“利用硅錫合金提純多晶硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)