本發(fā)明提供了減小接觸開口內(nèi)接觸電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及形成該結(jié)構(gòu)的方法。這在本發(fā)明中通過用含金屬鍺化物接觸材料取代常規(guī)的接觸冶金,例如鎢,或金屬硅化物,例如NI硅化物或CU硅化物實現(xiàn)。在本申請中使用術(shù)語“含金屬鍺化物”表示純金屬鍺化物(即,MGE合金)或包括SI的金屬鍺化物(即,MSIGE合金)。
聲明:
“用于減小接觸電阻的方法和結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)