本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法,在真空度為0.001Pa以下的高真空條件下,先在熔煉坩堝中通過(guò)感應(yīng)加熱1430-1460℃熔化高純多晶硅料,形成高純硅熔液,并使其保持液態(tài),然后升溫使硅熔液溫度達(dá)到1500-1600℃;高磷、高金屬硅棒連續(xù)緩慢的加入硅熔液之中,雜質(zhì)磷在淺層熔池中不斷蒸發(fā)而得到去除,待高磷、高金屬硅棒完全熔入熔池后,感應(yīng)加熱使熔煉坩堝中液態(tài)在1450-1500℃溫度下保持一段時(shí)間,進(jìn)行定向凝固,切去硅錠頂部金屬雜質(zhì)含量較高的多晶硅即可。本發(fā)明綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術(shù),其提純效果好,操作簡(jiǎn)單,節(jié)約能源,成本低,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。
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“淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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