本發(fā)明公開了一種高溫真空預處理制備太陽能級
多晶硅的方法,首先將冶金硅破碎后磨成粉,用乙醇浸出表面的油層;然后在AR氣保護下進行1000-1300℃的高溫處理;之后在0.1MPA-1MPA的真空環(huán)境下進行150℃以上的中溫處理。將經過高溫與真空兩步預處理后的硅粉用濃度為0.35MOL/L的HF酸浸泡,并在浸泡的過程中用磁力攪拌;將浸泡后的硅粉用去離子水清洗,并放在真空箱中干燥。操作方便、無污染、成本較低廉,可以得到準太陽能級多晶硅、太陽能級多晶或電子級多晶硅。
聲明:
“高溫真空預處理制備太陽能級多晶硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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