本發(fā)明涉及高純粉體材料的制備方法及其應用及一種雙相粉體材料。所述高純粉體材料通過“霧化制粉+去相法”制備。所述制備方法首先通過霧化制粉技術制備由第二相基體包覆第一相顆粒的中間合金粉末。在中間合金粉末的凝固過程中,雜質元素被富集到第二相基體,從而使得第一相顆粒得到純化。將中間合金粉末中的第二相基體去除,即可獲得由原第一相顆粒組成的高純目標粉體材料。本發(fā)明的制備方法具有工藝簡單、易于操作、成本低的特點,可以制備包括納米級、亞微米級、以及微米級的多種高純粉體材料,在催化材料、
粉末冶金、
復合材料、吸波材料、殺菌材料、金屬注射成型、3D打印增材制造、涂料等領域具有很好的應用前景。
聲明:
“高純粉體材料的制備方法及其應用及一種雙相粉體材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)