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稀貴金屬	稀土稀土礦稀土氧化物稀土金屬釹鐵硼小金屬銻鉍銦鍺鎵硒鉭鋯貴金屬白銀
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應用導電顆粒的低應力TSV設計

863 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 14:50:09

元器件(10)可包括：具有第一表面(21)和遠離第一表面的第二表面(22)的基板(20)，沿一方向在第一表面與第二表面之間延伸的開口(30)，及在開口內延伸的導電通路(40)?；?20)可具有小于10ppm/℃的熱膨脹系數。導電通路(40)可包括復數個基體顆粒(50)，每個基體顆粒都包括第一金屬的第一區(qū)域(51)，該第一區(qū)域基本由不同于第一金屬的第二金屬層(52)所覆蓋?；w顆粒(50)可冶金接合在一起，且顆粒的第二金屬層(52)可至少部分地擴散至第一區(qū)域(51)內，導電通路(40)可包括散布在已接合基體顆粒(50)之間的空穴(60)。空穴(60)可占據導電通路(40)的10%或更多的容積。

聲明：

“應用導電顆粒的低應力TSV設計” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)