本發(fā)明公開(kāi)了一種提高輻射探測(cè)性能的方法、對(duì)應(yīng)的輻射探測(cè)器及制備,其中提高輻射探測(cè)性能的方法是向輻射探測(cè)器的輻射探測(cè)活性層中摻雜離子遷移惰性材料,由此提高該輻射探測(cè)活性層的輻射探測(cè)性能;離子遷移惰性材料優(yōu)選為鉍氧溴、氮化硼、單壁碳管中的至少一種;輻射探測(cè)活性層采用全無(wú)機(jī)
鈣鈦礦,優(yōu)選采用Cs2AgBiBr6。本發(fā)明通過(guò)對(duì)關(guān)鍵摻雜物(如摻雜物的具體種類(lèi)及摻雜量)、相應(yīng)輻射探測(cè)器制備方法的整體工藝流程設(shè)計(jì)及關(guān)鍵步驟所使用的參數(shù)條件(如退火工藝所采用的溫度及時(shí)間等)進(jìn)行改進(jìn),能夠有效解決現(xiàn)有技術(shù)存在的工藝復(fù)雜、靈敏度低、環(huán)境污染和穩(wěn)定性差等問(wèn)題,以及靈敏度、工作偏壓、穩(wěn)定性和環(huán)境污染等指標(biāo)不能兼顧問(wèn)題。
聲明:
“提高輻射探測(cè)性能的方法、對(duì)應(yīng)的輻射探測(cè)器及制備” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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