本發(fā)明提供了一種氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線(xiàn)，包括氧化鋅微米線(xiàn)芯材以及復(fù)合于所述氧化氧化鋅微米線(xiàn)芯材表面的銫鉛溴殼層。本發(fā)明以CsPbBr₃材料為基礎(chǔ)，用結(jié)晶質(zhì)量好、光電導(dǎo)增益高，并比納米線(xiàn)更易操作的ZnO單晶微米線(xiàn)作為核層，通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法，來(lái)制備ZnO/CsPbBr₃核殼微米線(xiàn)，并在此基礎(chǔ)上構(gòu)筑ZnO/CsPbBr₃結(jié)型自驅(qū)動(dòng)光探測(cè)器。CVD法能促進(jìn)鈣鈦礦材料實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定及規(guī)?；纳a(chǎn)及應(yīng)用。將ZnO材料作為電子傳輸層來(lái)構(gòu)筑ZnO/CsPbX₃基核殼微米線(xiàn)自驅(qū)動(dòng)光探測(cè)器，可以得到比有機(jī)傳輸材料更好的穩(wěn)定性與更高的耐久度，是實(shí)現(xiàn)全天候、高性能、長(zhǎng)壽命傳感器的有效途徑。