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高性能Diamond/SiC電子封裝材料的制備工藝

854 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:58:02

本發(fā)明提供了一種高性能Diamond/SiC電子封裝材料的制備工藝,其特征是首先按重量百分比,將10～15%的粘接劑,5～20%的石墨,20～40%的硅粉,30～60%的金剛石顆粒濕混,混合時間16～24h。然后在10～50MPa壓力和150℃的溫度下溫壓成形獲得復合材料毛坯。在氬氣保護氣氛中1100℃燒結24h,隨爐冷卻后得到具有一定強度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基體。然后將氣相滲透的滲料置于石墨坩堝中,將所制備的Diamond/Si/C多孔基體置于該石墨坩堝上,然后整體置于高真空燒結爐中進行真空氣相滲透1-2h,滲透溫度1500～1650℃,真空度-0.08～-0.01MPa。隨爐冷卻后即可獲得致密的Diamond/SiC電子封裝材料。本發(fā)明是一種周期短、工藝簡單、設備要求較低、成本低,并可制備復雜形狀致密Diamond/SiC電子封裝材料的方法。

聲明：

“高性能Diamond/SiC電子封裝材料的制備工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)