本發(fā)明公開(kāi)了一種焊接式硅芯片高絕緣臺(tái)面鈍化保護(hù)工藝，包括以下步驟：硅單晶片切割、單晶片磨角、真空燒結(jié)、酸腐蝕、涂敷聚酰亞胺、真空排泡、階梯烘烤、清洗形成鈍化保護(hù)芯片、涂覆GD?406藍(lán)色硅橡膠、真空排泡、室溫硫化化、高溫固化、檢測(cè)、真空包裝出廠(chǎng)。本發(fā)明通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)芯片制造工藝的改進(jìn)，通過(guò)PI膠的應(yīng)用對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行鈍化和雙層致密保護(hù)，并可有效地俘獲PN結(jié)臺(tái)面可移動(dòng)電荷，降低了芯片的IRRM，提高了芯片抗擊穿能力和綜合電性能，解決了粘附性、熱膨脹、機(jī)械應(yīng)力及氣孔等技術(shù)問(wèn)題，從而得到一種保護(hù)致密、耐高壓、耐溫范圍廣、高性?xún)r(jià)比、高可靠性的高壓功率半導(dǎo)體模塊芯片，有效提高產(chǎn)品的可靠性和良品率，值得推廣和使用。