本發(fā)明公開一種
鈣鈦礦量子點(diǎn)及其制備方法與光電器件,其中,所述鈣鈦礦量子點(diǎn)包括核層以及包覆在所述核層表面的殼層,所述核層材料為上轉(zhuǎn)換材料,所述殼層材料為鈣鈦礦材料。為了實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦量子點(diǎn)的近紅外光利用,本發(fā)明通過引入上轉(zhuǎn)換材料使所述鈣鈦礦材料原位生長在所述上轉(zhuǎn)換材料表面,這不僅拓寬了鈣鈦礦量子點(diǎn)的光譜響應(yīng)范圍,而且所述鈣鈦礦材料與上轉(zhuǎn)換材料之間的界面接觸緊密,可縮短光吸收的傳播路徑,所述上轉(zhuǎn)換材料發(fā)射的光能夠直接地被鈣鈦材料吸收,更好地實(shí)現(xiàn)光的轉(zhuǎn)移吸收,減少能量損失,所述鈣鈦礦量子點(diǎn)能夠廣泛應(yīng)用于
太陽能電池、光電探測器等光電器件中,可提高太陽光的利用率,減少外加能源的消耗。
聲明:
“鈣鈦礦量子點(diǎn)及其制備方法與光電器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)