本發(fā)明提供了一種稀磁半導(dǎo)體的制備方法,制備方法包括如下步驟:制備復(fù)合氧化銦靶材;提供
氧化鋁基片,并對氧化鋁基片進行清洗和拋光,得到第一氧化鋁基片;將第一氧化鋁基片放入真空室進行預(yù)濺射,得到第二氧化鋁基片;利用脈沖激光沉積方法,在第二氧化鋁基片上沉積氧化銅薄膜,得到第一復(fù)合氧化鋁基片;利用脈沖激光沉積方法,在第一復(fù)合氧化鋁基片上沉積氧化亞銅薄膜,得到第二復(fù)合氧化鋁基片;利用脈沖激光沉積方法,在第二復(fù)合氧化鋁基片上沉積鐵鈷釓摻雜的氧化銦薄膜。本發(fā)明通過氧化銦薄膜中摻雜鐵、鈷、釓原子,大幅度提高了稀磁半導(dǎo)體的磁性能,使得復(fù)合薄膜能夠有效的用于存儲器件。
聲明:
“稀磁半導(dǎo)體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)