本發(fā)明涉及硼鋁源一次全擴散生產(chǎn)KP整流
芯片的方法,包括硅片清洗、擴散、氧化、一次光刻、磷擴、割圓、燒結(jié)、蒸鋁、二次光刻、臺面腐蝕,其特征在于,所述擴散工序為一次全擴散,具體包括以下步驟:硼源、鋁源制備和一次全擴散,擴散時保證石英閉管中硼源片和鋁源片在待擴硅片中分布均勻,當(dāng)表面濃度和結(jié)深達標(biāo)時擴散完成。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:在PN結(jié)的生產(chǎn)制造過程中,采用硼鋁兩種元素擴散源,一次高溫擴散成型,相同規(guī)格的大功率高壓整流芯片產(chǎn)品對比,電壓提高了800V~1000V,產(chǎn)品使用壽命多出500小時以上,減少了磷擴時間4~5小時,提高了擴散效率,硅單晶片的損傷減少,提高了成品率。
聲明:
“硼鋁源一次全擴散生產(chǎn)KP整流芯片的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)