本發(fā)明涉及一種低溫化學(xué)氣相反應(yīng)法制備SiC涂層的方法,主要用于碳素材料的抗氧化保護(hù)。該方法采用適量Si粉、SiO2粉以及適量SiO粉為反應(yīng)原料,通過(guò)化學(xué)氣相反應(yīng)法在較低溫度下制備SiC涂層。該方法工藝簡(jiǎn)單,制備的涂層結(jié)構(gòu)致密均勻,晶粒細(xì)小,不易產(chǎn)生裂紋,可以大大提高碳素材料的抗氧化、抗熱震性能。進(jìn)一步優(yōu)化通過(guò)浸漬碳化預(yù)先在碳素材料表面制備一層由細(xì)小碳顆粒碳組成的連續(xù)涂層,然后再采用結(jié)合上述的氣相反應(yīng)法,進(jìn)一步促進(jìn)細(xì)小晶粒的形成,最終得到致密均勻、性能優(yōu)異的SiC涂層。本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單,便于工業(yè)化應(yīng)用。
聲明:
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