本發(fā)明屬于熱電材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種Cu?Te納米晶/Cu2SnSe3熱電
復(fù)合材料及其制備方法,該復(fù)合材料中Cu?Te納米晶在復(fù)合材料中的體積比為0.2?1.2%。本發(fā)明制備的Cu?Te納米晶/Cu2SnSe3型熱電復(fù)合材料表現(xiàn)出較好的熱電性能,大幅提升了Cu2SnSe3基體的ZT值;制備所需工藝操作簡單、參數(shù)可控、適用于較大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“Cu?Te納米晶/Cu2SnSe3熱電復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)