本發(fā)明公開了
鈣鈦礦埋底界面材料、制備方法及應(yīng)用,所述鈣鈦礦埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有納米級的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu);MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs,Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面,Sn、O、Ti和C元素的含量分別為20?25%、70?75%、1?2%和0?1%。本發(fā)明有效地提高了器件的導(dǎo)電性、穩(wěn)定性以及各項(xiàng)性能,顯著降低了鈣鈦礦層的缺陷與空位。為鈣鈦礦器件的發(fā)展提供了新思路,在未來的通信、航天、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域的探測等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“鈣鈦礦埋底界面材料、制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)