本發(fā)明公開了一種雜質(zhì)中間帶鹵化物
鈣鈦礦單晶材料的制備方法及其應(yīng)用。該制備方法可以在鹵化物鈣鈦礦單晶材料的禁帶中引入一個(gè)新的雜質(zhì)能帶,通過能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)控,在不改變其帶隙大小的情況下大幅拓寬其光響應(yīng)范圍。本方法制備的雜質(zhì)中間帶鹵化物鈣鈦礦單晶材料具有光譜響應(yīng)范圍可調(diào),制備簡單,成本低廉等優(yōu)點(diǎn),在光電探測器、發(fā)光二極管、光催化等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景。
聲明:
“誘導(dǎo)鹵化物鈣鈦礦單晶成為雜質(zhì)中間帶半導(dǎo)體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)