本發(fā)明所述的一種多枝狀類雪花片結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物
鈣鈦礦憶阻器,該結(jié)構(gòu)由頂電極層,金屬鹵化物鈣鈦礦層、底電極層以及襯底層構(gòu)成。頂電極層為金或銀納米線,納米線直徑70nm,長度為20μm;阻變層為多枝狀類雪花片結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物鈣鈦礦層,厚度為100?200nm;底電極層主要為鉑,厚度為30~70nm;襯底層,厚度為520~530μm。本發(fā)明具有如下優(yōu)點:制備了一種多枝狀類雪花片結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物鈣鈦礦,該結(jié)構(gòu)可有效控制阻變過程粒子的遷移路徑,降低導(dǎo)電通道形成的隨機(jī)性,為憶阻器性能的提升優(yōu)化提供了方法。本發(fā)明采用選旋涂法,制備方法簡單,成本較低,在非易失性存儲器、存算一體器件、神經(jīng)突觸模擬等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,有利于探索性能優(yōu)異的阻變器件。
聲明:
“多枝狀類雪花片結(jié)構(gòu)的金屬鹵化物鈣鈦礦憶阻器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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