本發(fā)明公開了一種N摻雜二氧化鈦基憶阻器及其制備方法,包括上電極、
功能材料層和下電極,以FTO導(dǎo)電玻璃為下電極,在下電極上生長N?TiO2功能材料層,然后在N?TiO2功能材料層上濺射金電極。本方法制備過程簡單,成本低廉,制備得到的器件表現(xiàn)出憶阻特性且性能良好。
聲明:
“N摻雜二氧化鈦基憶阻器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)