本發(fā)明涉及半導(dǎo)體、電子
功能材料領(lǐng)域,公開了一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法,所述絕緣化劑中包括Pb
3O
4、CuO、B
2O
3,并用新的氧化劑CBi
2O
5替代了Bi
2O
3,將CBi
2O
5、Pb
3O
4、CuO、B
2O
3按一定質(zhì)量比混合制成新的絕緣化劑,并通過瓷片絕緣化的過程,使用絕緣化劑,得到電阻值更高的電容器瓷片,提高電容器的性能。
聲明:
“提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)