一種
鈣鈦礦晶體生長體系及其制作方法,屬于
功能材料領域。鈣鈦礦晶體生長體系用于在期望溫度內制作鈣鈦礦的單晶體。晶體生長體系包括被分層布置的第一液體試劑和第二液體試劑。第一液體試劑由第一分子構成,第一液體試劑在期望溫度下能夠保持為液相。第二液體試劑由第二分子構成。第一液體試劑和第二液體試劑不相互溶,且第二液體試劑是鈣鈦礦和/或用于制作鈣鈦礦的原料的良溶劑。第一液體試劑和第二液體試劑具有如下定義:在期望溫度下,第二液體試劑能夠以第二分子穿過第一分子之間的間隙從晶體生長體系脫離。示例中的鈣鈦礦制作方法能夠以高可操作性的方式實現(xiàn)單晶的鈣鈦礦制作。
聲明:
“鈣鈦礦晶體生長體系及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)