本發(fā)明涉及一種Ti5Si3/TiNi記憶合金
復(fù)合材料,以該記憶合金復(fù)合材料的總量計(jì),其包括以下成分:原子百分比為6-33%的Si元素,Ti、Si、Ni三元素滿足(50+x-y)∶3x∶(50-4x+y),其中x=2-1l,y=0-3,Ti、Ni和Si三種元素的原子百分?jǐn)?shù)之和為100%。該記憶合金復(fù)合材料的制備方法包括以下步驟:按Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料的成分配比選取純度在99wt.%以上的單質(zhì)鈦、單質(zhì)硅、單質(zhì)鎳;將單質(zhì)鈦、單質(zhì)硅、單質(zhì)鎳放入真空度高于10-1Pa或惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中,熔煉成Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料。本發(fā)明提供的復(fù)合材料既具備記憶合金智能復(fù)合材料所具有的屬性,同時(shí)又具有強(qiáng)度高,界面結(jié)合良好等特點(diǎn)。
聲明:
“Ti5Si3/TiNi記憶合金復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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