本發(fā)明公開了一種高儲(chǔ)能性能陶瓷/聚合物介電復(fù)合材料及其制備方法，該聚合物基復(fù)合材料以P(VDF?CTFE)為基體材料，低介電、低損耗與高絕緣SiO₂包覆的Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃粉體為填充物。本發(fā)明利用準(zhǔn)同型相界的Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃鐵電陶瓷填充物來(lái)提高復(fù)合材料介電常數(shù)，利用低介電常數(shù)SiO₂降低填充物與基體之間電場(chǎng)強(qiáng)度畸變來(lái)提高擊穿場(chǎng)強(qiáng)。復(fù)合材料的擊穿場(chǎng)強(qiáng)可以提高至450MV/m～491MV/m,該復(fù)合材料在最高491MV/m外加電場(chǎng)強(qiáng)度下，可以實(shí)現(xiàn)16.8J/cm³的儲(chǔ)能密度和70％的儲(chǔ)能效率。同時(shí)本發(fā)明還公開了該復(fù)合材料的制備方法。通過(guò)本發(fā)明，可以獲得高儲(chǔ)能密度、高儲(chǔ)能效率和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)的聚合物基復(fù)合材料，該復(fù)合材料優(yōu)異的介電儲(chǔ)能特性使其可應(yīng)用于高功率脈沖技術(shù)領(lǐng)域。